उच्च शुद्धता वाले कॉपर बसबार स्पटरिंग लक्ष्य (4N-6N)

उच्च शुद्धता वाले कॉपर बसबार स्पटरिंग टारगेट – प्रक्रिया एवं गुणवत्ता आश्वासन विवरण

हमारे कॉपर बसबार टारगेट विशेष रूप से बड़े क्षेत्र, उच्च मात्रा वाले फिजिकल वेपर डिपोजिशन के लिए विकसित किए गए हैं, जहां लंबी लंबाई पर एक समान कोटिंग महत्वपूर्ण है।

प्रमुख प्रक्रिया विशेषताएँ

उत्पादन प्रक्रिया में उन्नत धातुकर्म और मशीनिंग तकनीकों का उपयोग किया जाता है ताकि निरंतर प्रदर्शन सुनिश्चित किया जा सके:
●प्रारंभिक सामग्री: प्रमाणित अति-उच्च शुद्धता वाले प्रीमियम इलेक्ट्रोलाइटिक कॉपर कैथोड आधार के रूप में कार्य करते हैं।
● वैक्यूम रिफाइनिंग: कई वैक्यूम पिघलने के चरणों के माध्यम से गैसीय और धात्विक अशुद्धियों को हटाकर 4N-6N स्तर प्राप्त किए जाते हैं।
● निरंतर ढलाई: नियंत्रित गर्म एक्सट्रूज़न या निरंतर ढलाई से समरूप संरचना वाले लंबे, सघन बिलेट्स का उत्पादन होता है।
● गर्म प्रक्रिया: फोर्जिंग और रोलिंग से कणों का आकार परिष्कृत होता है और लगभग पूर्ण सैद्धांतिक घनत्व प्राप्त होता है।
● सटीक कटिंग और मशीनिंग: सीएनसी सॉइंग और मिलिंग से समानांतर सतहों वाले सटीक आयताकार आयाम बनते हैं।
●सतह की तैयारी: बहु-चरणीय पिसाई और पॉलिशिंग से स्वच्छ, दोषरहित स्पटरिंग सतहें प्राप्त होती हैं।
● बॉन्डिंग विकल्प: स्टेनलेस स्टील या मोलिब्डेनम बैकिंग प्लेटों के साथ कम तापमान पर इंडियम या इलास्टोमेरिक बॉन्डिंग उपलब्ध है।
●क्लीनरूम पैकेजिंग: अंतिम अल्ट्रासोनिक सफाई और डबल-बैग्ड वैक्यूम सीलिंग संदूषण-मुक्त डिलीवरी सुनिश्चित करती है।

गुणवत्ता नियंत्रण प्रणाली

● कैथोड स्रोत से लेकर तैयार बसबार लक्ष्य तक पूर्ण ट्रेसबिलिटी
● प्रत्येक यूनिट के साथ सामग्री का पूर्ण प्रमाणन और परीक्षण रिपोर्ट प्रदान की जाती है।
● स्वतंत्र सत्यापन (एसजीएस, बीवी, आदि) के लिए संग्रहित नमूनों को ≥3 वर्ष तक सुरक्षित रखा जाता है।
● आवश्यक मापदंडों का 100% निरीक्षण:
• शुद्धता सत्यापन (जीडीएमएस/आईसीपी विश्लेषण; ऑक्सीजन आमतौर पर <5 पीपीएम)
• घनत्व परीक्षण (≥99.5% सैद्धांतिक)
• दानेदार संरचना का मूल्यांकन (धातुविज्ञान)
• आयामी सटीकता (सीएमएम; समानांतरता ≤0.1 मिमी विशिष्ट)
• सतह की गुणवत्ता और खुरदरापन (प्रोफिलोमीटर + क्लीनरूम निरीक्षण)
● आंतरिक विशिष्टताएँ ASTM F68 मानकों से बेहतर हैं। विशिष्ट विशेषताएँ: तापीय चालकता >395 W/m·K, सुसंगत चाप-मुक्त स्पटरिंग व्यवहार, मैग्नेट्रॉन प्रणालियों में उच्च निक्षेपण दर।